Samsung 96 katmanlı 3D V-NAND yongalarının üretimine başladı

Samsung 96 katmanlı 3D V-NAND yongalarının üretimine başladı

118

 

DRAM ve NAND yonga denilince ilk akla gelen firma şüphesiz Samsung. 96 katmanlı 3D NAND yongalarının hacimli üretimine başlayan firma yeni hafıza çözümleriyle pazardaki konumunu daha da güçlendirmek istiyor.

Yeni nesil 3D NAND kümeleri ile birlikte halihazırdaki 64 katmanlı yongaların yerini 96 katmanlı bellekler alacak. Katman artışıyla birlikte kapasite artışı da beklenir fakat firmanın duyurusuna göre ilk başta şu anda kullanımda olan SSD’lerde yer alan yongalarla ayın yoğunluğa sahip bellekler üretilecek. Bunun sebebi henüz bilinmiyor ancak ilerleyen dönemde çıta 1 Tbit (128 GB) seviyesine çekileceğini belirtelim.

Ayrıca Bkz.32 çekirdekli Ryzen Threadripper işlemcisi satışa çıkıyor

1.4 Gbps’lik arayüze geçiş

 

Performans kanadında ilk başta 800 Mbps hızındaki NAND Flash kümeleriyle tampon bellek arasındaki arayüzün 1.4 Gbps seviyesine yüklseltildiği göze çarpıyor. Okuma işlemleri esnasında yaşanan gecikme 48 katmandan 64 katmana geçişte geliştirilen bir başlık değildi fakat Samsung 96 katmanlı yongalarla birlikte 50µs gibi oldukça dikkat çeken bir değer elde etmeyi başarmış. Yazma gecikmesi ise %30 azaltılarak 500µs’ye çekilmiş.

 

Bellek çözümlerinin çalışma voltajını 1.8v’dan 1.2v’a indirildiğini belirten Samsung bu sayede kaydadeğer güç tasarrufu sağlandığını iddia ederken üretim verimliliğinde ise yaklaşık %30’luk artış elde edilmiş. Son olarak yeni NAND yongalarını içeren modellerin raflardaki yerini ne zaman alacağı ise henüz bilinmiyor.




Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.